A fabricante israelense de chips Tower Semiconductor anunciou um plano de expansão de US$ 3 bilhões no Japão para impulsionar a produção de semicondutores voltados para Inteligência Artificial e data centers. O projeto conta com US$ 1 bilhão em subsídios do governo japonês e visa atender à crescente demanda por conexões ópticas mais rápidas e eficientes entre processadores.
Investimento Estratégico em Fotônica de Silício para IA
A nova fase da empresa foca na produção de fotônica de silício (SiPho) de 300 mm, silício-germânio (SiGe) e embalagens ópticas avançadas. Essas tecnologias são indispensáveis para reduzir gargalos de processamento em sistemas avançados de IA e grande infraestrutura de dados.
Plano de Expansão em Duas Frentes
A estratégia foi desenhada para acelerar a entrega da capacidade produtiva sem enfrentar os atrasos típicos da construção de fábricas do zero.
Fase 1: Otimização e Conversão de Fórmulas Existentes
Conversão da unidade de Arai (antiga Fab 6) em um centro de produção de fotônica de silício e embalagens avançadas, aliada à otimização da produção na Fab 7, em Uozu. A estimativa é atingir a capacidade máxima no quarto trimestre de 2027.
Fase 2: Nova Infraestrutura e Impacto Financeiro
Construção de uma nova fábrica de 300 mm adjacente à Fab 7, voltada para expandir a oferta de tecnologias SiPho e SiGe, com previsão de contribuição financeira significativa a partir de 2029.
Fortalecimento do Ecossistema de Semicondutores no Japão
As operações continuam sendo executadas por meio da TPSCo, joint venture da Tower com a Panasonic, nas regiões de Toyama e Niigata. Além de fortalecer a cadeia global de suprimentos e reter talentos, o investimento vai gerar novos postos de trabalho em engenharia e criar parcerias com universidades e institutos de pesquisa locais.
Com a reestruturação das operações, a Tower Semiconductor projeta atingir US$ 3,6 bilhões em receita e US$ 1,2 bilhão em lucro líquido em 2028, consolidando um ano em que suas ações acumulam alta de quase 90%.
Artigo Original CTECH